发明名称 |
有机金属化学气相沉积装置和方法 |
摘要 |
本发明提供一种有机金属化学气相沉积装置,包括:反应室,在所述反应室中,通过使用第III-V族材料,将氮化物层沉积在衬底上,缓冲室,所述缓冲室连接到反应室,在所述缓冲室中布置有传送机器人,以便将所述衬底传送到反应室中和传送出反应室,气体供应设备,所述气体供应设备被配置为选择性地将氢气、氮气、和氨气中的一种或多种供应到所述缓冲室中,从而当所述缓冲室与所述反应室中的一个连通时,所述缓冲室的气氛与所述反应室的气氛相同;以及设置在所述缓冲室中的加热器。在反应室中,氮化物层沉积在衬底上,并且缓冲室的温度和气体气氛被调节为使得当传送衬底时,可以稳定地保持形成在衬底上的外延层。 |
申请公布号 |
CN103103502B |
申请公布日期 |
2015.09.09 |
申请号 |
CN201310001157.1 |
申请日期 |
2010.09.28 |
申请人 |
丽佳达普株式会社 |
发明人 |
陈周 |
分类号 |
C23C16/54(2006.01)I;C23C16/34(2006.01)I;C30B25/08(2006.01)I;C30B29/40(2006.01)I |
主分类号 |
C23C16/54(2006.01)I |
代理机构 |
北京鸿元知识产权代理有限公司 11327 |
代理人 |
陈英俊 |
主权项 |
一种有机金属化学气相沉积方法,包括:将衬底从缓冲室传送到第一反应室;在所述第一反应室中,在所述衬底上生长未掺杂层、n‑型掺杂层、和活性层;将所述衬底从所述第一反应室传送到第二反应室;以及将所述衬底加热到900℃到950℃的温度,并且在氢气气氛下供应异环戊二烯基镁,从而相对所述第一反应室独立地在所述第二反应室中在所述活性层上形成p‑型掺杂层。 |
地址 |
韩国京畿道 |