发明名称 一种高精度陶瓷电路板的制作方法
摘要 本发明公开了一种高精度陶瓷电路板的制作方法,包括将激光照射在覆盖了钯离子固态薄膜的陶瓷基板表面,控制激光能量密度达到基板改性阈值以上,使陶瓷基板表面形成V型微槽结构,该微槽内钯离子被还原成原子态并在高温下与氧原子结合形成化学稳定性极高的氧化钯,并与基板形成牢固的冶金结合,而激光热影响区内基板表面结构未发生改变,钯离子仅被还原成金属钯。通过化学清洗步骤,选择性清除热影响区内的金属钯,留下微槽结构内的氧化钯作为催化化学镀反应的活性中心。然后实施化学镀,可以得到高精度导电线路。该技术能够在陶瓷基板的表面快速制备导电线路,对基板材料无特殊要求,所得导电线路精度高,导电性好,结合力强。
申请公布号 CN104105353B 申请公布日期 2015.09.09
申请号 CN201410314204.2 申请日期 2014.07.02
申请人 华中科技大学 发明人 吕铭;曾晓雁;刘建国
分类号 H05K3/18(2006.01)I;H05K3/00(2006.01)I 主分类号 H05K3/18(2006.01)I
代理机构 华中科技大学专利中心 42201 代理人 曹葆青
主权项 一种陶瓷电线路的制作方法,该方法采用激光表面改性结合化学清洗和化学镀在陶瓷基板表面实现选择性金属化,具体包括下述步骤:第1步 采用激光束照射覆盖有钯离子固态薄膜的陶瓷基板,使得陶瓷基板表面的激光辐照区域形成微槽结构;该微槽结构内的钯离子被还原成原子态,在高温下与氧原子结合形成氧化钯颗粒,并与陶瓷材料混合、熔化、凝固,形成牢固的冶金结合;而热影响区内的钯离子仅被还原成金属钯颗粒;第2步 利用王水溶液进行化学清洗,以清除未辐照部位的钯离子固态薄膜,并选择性的清除了热影响区内的金属钯颗粒,留下所述微槽结构内的氧化钯颗粒作为催化化学镀反应的活性中心,消除了微槽边缘的热影响区对化学镀的影响,且这种微槽结构限制了化学镀过程中金属导线向侧向的生长;第3步 实施化学镀,使得导电金属颗粒仅沉积于微槽结构内,得到导线宽度更窄、结合性能更好的陶瓷电路板。
地址 430074 湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号