一种掺氧化镁同成分铌酸锂晶片及其制备方法

摘要

本发明公开了一种掺氧化镁同成分铌酸锂晶片，其中氧化镁含量为5.5~6.5mol%，晶片厚度0.5~3mm。本发明还公开了所述掺氧化镁同成分铌酸锂晶片的制备方法，首先是应用提拉法生长掺镁浓度为5.2～6mol%、适量富铌的铌酸锂晶体，晶体经过退火极化处理，再切割成晶片，将切割晶片埋入掺镁浓度为5.5～6.5mol%的同成分铌酸锂粉料中，再在1000℃～1150℃温度下恒温20～40小时进行扩散热处理，即得到所述掺氧化镁同成分铌酸锂晶片。本发明制备的掺氧化镁铌酸锂晶片成分均匀，折射率分布均匀，掺镁浓度高，铌锂比接近同成分配比，内部缺陷少，电畴反转电压较低，适合批量化的PPLN器件技术要求。

主权项

一种掺氧化镁同成分铌酸锂晶片的制备方法，其特征在于：包括如下步骤如下：I.按摩尔百分比Li₂CO₃∶Nb₂O₅∶MgO＝[(1‑A₁)×B₁]∶[(1‑A₁)×C₁]∶A₁配料，经混合、烧结得到生长原料；式中：A₁为生长原料中MgO摩尔百分含量，A₁＝5.2～6mol％，(1‑A₁)×B₁为生长原料中Li₂CO₃摩尔百分含量，其中B₁＝48.2～48.6mol％，(1‑A₁)×C₁为生长原料中Nb₂O₅摩尔百分含量，其中C₁＝51.4～51.8mol％，B₁+C₁＝100％；II.取步骤I制得的所述生长原料，用提拉法生长，感应或电阻加热，生长速度0.2～1.2mm/hr，晶转速度4～15rpm，得到原生晶体；III.步骤II制得的原生晶体经高温退火极化处理，再切割成0.5～3mm厚的毛坯；IV.按摩尔比Li₂CO₃∶Nb₂O₅∶MgO＝[(1‑A₂)×B₂]∶[(1‑A₂)×C₂]∶A₂配料，经混合、烧结得到扩散原料；式中：A₂为扩散原料中MgO摩尔百分含量，A₂＝5.5～6.5mol％，(1‑A₂)×B₂为扩散原料中Li₂CO₃摩尔百分含量，B₂＝48.6mol％，(1‑A₂)×C₂为扩散原料中Nb₂O₅摩尔百分含量，C₂＝51.4mol％，B₂+C₂＝100％；V.将步骤IV所得的所述扩散原料盛入有盖铂坩埚中，再将步骤III所得的切割好的毛坯分隔插入所述扩散原料中，加铂盖，在箱式炉中加热至1000～1150℃，恒温扩散20～40小时，降温，晶片出炉，即得。