发明名称 |
一种判定GaAs基太赫兹混频肖特基二极管结面积的方法 |
摘要 |
本发明公开了一种判定GaAs基太赫兹混频肖特基二极管结面积的方法,所述方法包括:将被测太赫兹肖特基二极管固定在测试台面,利用直流测试用探针扎在太赫兹肖特基二极管的两个金属焊盘上;使用半导体测试仪测试太赫兹肖特基二极管的电流和电压;基于获得的电流和电压,利用公式(7)计算出肖特基二极管结面积,实现了快速鉴别管芯,对器件无损伤,成本较低的技术效果。 |
申请公布号 |
CN104898034A |
申请公布日期 |
2015.09.09 |
申请号 |
CN201510323758.3 |
申请日期 |
2015.06.12 |
申请人 |
四川迈格酷科技有限公司 |
发明人 |
杨晓艳;韩凌;陈梅;魏刚;纪东峰 |
分类号 |
G01R31/26(2014.01)I |
主分类号 |
G01R31/26(2014.01)I |
代理机构 |
成都行之专利代理事务所(普通合伙) 51220 |
代理人 |
郭受刚 |
主权项 |
一种判定GaAs基太赫兹混频肖特基二极管结面积的方法,其特征在于,所述方法包括:将被测太赫兹肖特基二极管固定在测试台面,利用直流测试用探针扎在太赫兹肖特基二极管的两个金属焊盘上;使用半导体测试仪测试太赫兹肖特基二极管的电流和电压;基于获得的电流和电压,利用公式(7)计算出肖特基二极管结面积,其中所述公式(7)为:<maths num="0001" id="cmaths0001"><math><![CDATA[<mrow><mi>S</mi><mo>=</mo><mi>exp</mi><mo>[</mo><mfrac><mrow><mi>q</mi><mrow><mo>(</mo><msub><mi>V</mi><mi>bi</mi></msub><mo>-</mo><mi>V</mi><mo>)</mo></mrow></mrow><mi>ηkT</mi></mfrac><mo>]</mo><mo>/</mo><mn>98.65</mn><mo>-</mo><mo>-</mo><mo>-</mo><mrow><mo>(</mo><mn>7</mn><mo>)</mo></mrow></mrow>]]></math><img file="FDA0000737064200000011.GIF" wi="645" he="166" /></maths>其中,S为肖特基结的面积,单位为平方微米,q为电子电量,V<sub>bi</sub>为肖特基势二极管内建电势,固定为0.8V,V为半导体参数测试仪测试得到肖特基二极管两端的电压,η为表征肖特基接触质量好坏的理想因子,k为玻尔兹曼常数,T为肖特基结的温度。 |
地址 |
621000 四川省绵阳市涪城区高水中街19号 |