双栅极氧化物半导体TFT基板的制作方法及其结构

摘要

本发明提供一种双栅极氧化物半导体TFT基板的制作方法及其结构。该双栅极氧化物半导体TFT基板的制作方法使用半色调掩膜板进行一道光罩制程，既能够完成氧化物半导体层的图案化、又能够通过离子掺杂制得氧化物导体层(52’)，该氧化物导体层(52’)作为LCD的像素电极替代现有技术中的ITO像素电极；通过一道光罩制程同时制得源极(81)、漏极(82)、与顶栅极(71)；通过一道光罩制程同时对钝化层(8)、及顶栅绝缘层(32)进行图案化处理，光罩制程减少至五道，缩短了制作工序流程，提高了生产效率，降低了生产成本。

主权项

一种双栅极氧化物半导体TFT基板的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1、提供一基板(1)，在该基板(1)上沉积第一金属层，通过第一道光罩制程对所述第一金属层进行图案化处理，形成底栅极(2)；步骤2、在所述底栅极(2)、及基板(1)上沉积底栅绝缘层(31)；步骤3、在所述底栅绝缘层(31)上沉积透明的氧化物半导体层，在氧化物半导体层上涂覆光阻层，使用半色调掩膜板进行第二道光罩制程：先对所述光阻层进行曝光、显影，得到位于所述底栅极(2)上方覆盖所述氧化物半导体层的第一光阻层(41)、及位于所述底栅极(2)一侧覆盖所述氧化物半导体层的第二光阻层(42)；所述第一光阻层(41)的两侧区域、及第二光阻层(42)的厚度小于所述第一光阻层(41)的中间区域的厚度；再利用所述第一光阻层(41)、及第二光阻层(42)对所述氧化物半导体层进行刻蚀，使所述氧化物半导体层图案化，得到位于所述底栅极(2)上方的第一氧化物半导体层(51)、及位于所述第一氧化物半导体层(51)一侧的第二氧化物半导体层(52)；步骤4、先去除所述第一光阻层(41)的两侧区域、及第二光阻层(42)；以余下的第一光阻层(41)的中间区域为遮蔽层，对所述第一氧化物半导体层(51)的两侧、及第二氧化物半导体层(52)进行离子掺杂，使所述第一氧化物半导体层(51)的两侧区域转变为导体，使第二氧化物半导体层(52)转变为氧化物导体层(52’)；然后去除余下的第一光阻层(41)的中间区域；步骤5、在所述第一氧化物半导体层(51)、氧化物导体层(52’)、及底栅绝缘层(31)上沉积顶栅绝缘层(32)，通过第三道光罩制程对所述顶栅绝缘层(32)进行图案化处理，形成分别位于所述第一氧化物半导体层(51)两侧区域上方的第一过孔(91)、及位于所述氧化物导体层(52’)上方的第二过孔(92)；步骤6、在所述顶栅绝缘层(32)上沉积第二、第三金属层，通过第四道光罩制程对第二、第三金属层进行图案化处理，分别得到位于所述第一氧化物半导体层(51)上方的顶栅极(71)、位于所述顶栅极(71)两侧的源极(81)与漏极(82)；所述源极(81)与漏极(82)分别经由所述第一过孔(91)与所述第一氧化物半导体层(51)的两侧区域相接触，所述源极(81)经由所述第二过孔(92)与所述氧化物导体层(52’)相接触；步骤7、在所述顶栅极(71)、源极(81)、漏极(82)、及顶栅绝缘层(32)上沉积钝化层(8)；通过第五道光罩制程对所述钝化层(8)、及顶栅绝缘层(32)同时进行图案化处理，得到位于所述氧化物导体层(52’)上方的第三过孔(93)；所述底栅极(2)、第一氧化物半导体层(51)、源极(81)、漏极(82)、及顶栅极(71)构成双栅极TFT(T)；所述氧化物导体层(52’)构成LCD的像素电极。