| 发明名称 | 半导体结构及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种半导体结构及其制造方法。该半导体结构包括一基板、一第一阱(well)、一第一重掺杂区(heavily doping region)、一场氧化层、一第一介电层以及一导电层。第一阱设置于基板上，第一重掺杂区设置于第一阱内。场氧化层设置于第一阱上且邻接于第一重掺杂区。第一介电层设置于场氧化层上并覆盖(covering)场氧化层。导电层设置于第一介电层上。第一阱及第一重掺杂区具有一第一掺杂型态。 | ||
| 申请公布号 | CN104900698A | 申请公布日期 | 2015.09.09 |
| 申请号 | CN201410077545.2 | 申请日期 | 2014.03.05 |
| 申请人 | 旺宏电子股份有限公司 | 发明人 | 李明东;林正基;徐志嘉;陈建铨;连士进;吴锡垣 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/40(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 任岩 |
| 主权项 | 一种半导体结构，包括：一基板；一第一阱(well)，设置于该基板上；一第一重掺杂区(heavily doping region)，设置于该第一阱内；一场氧化层，设置于该第一阱上，该场氧化层是邻接于该第一重掺杂区；一第一介电层，设置于该场氧化层上并覆盖(covering)该场氧化层；以及一导电层，设置于该第一介电层上；其中该第一阱及该第一重掺杂区具有一第一掺杂型态。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹科学工业园区力行路16号 | ||