一种半导体结构及其制作方法

摘要

本发明提供一种半导体结构及其制作方法，该结构包括：半导体衬底；形成于所述半导体衬底上的金属垫层；形成于所述金属垫层上的金属阻挡层；形成于所述金属阻挡层上的介质层；及至少一个SiGe栓塞；所述SiGe栓塞形成于所述介质层中且底部到达所述金属阻挡层表面；所述SiGe栓塞外侧面及底部被粘附层所包围。本发明的半导体结构及其制作方法通过在金属垫层上形成金属阻挡层，不受凹槽阶梯覆盖率的影响，简单而有效地避免了金属垫层与SiGe栓塞的反应，能够完全避免火山缺陷的出现，提高器件性能。本发明的半导体结构不会增加器件的横向面积，对于器件的纵向厚度增加也可以忽略不计，有利于器件的小型化。

主权项

一种半导体结构的制作方法，其特征在于，至少包括以下步骤：S1：提供一半导体衬底，在所述半导体衬底上形成金属垫层；S2：在所述金属垫层上形成一金属阻挡层；S3：在所述金属阻挡层上形成介质层，并在所述介质层中形成至少一个凹槽；所述凹槽底部暴露出所述金属阻挡层表面；S4：在所述凹槽的底部及侧壁表面形成粘附层；S5：在所述凹槽中填充满SiGe材料，形成SiGe栓塞。