发明名称 |
混频器 |
摘要 |
本实用新型提供了一种混频器。其包括第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管、第四MOS管、第五MOS管、第六MOS管、第一电容、第二电容、第三电容、第四电容、第一电阻、第二电阻、第三电阻和第四电阻。第一MOS管和第二MOS管并联,且该两个MOS管的栅极均通过电容接射频信号并接偏置电压,漏极接第三MOS管和第四MOS管的源极,第三MOS管和第四MOS管的漏极接第五MOS管和第六MOS管的源极,第五MOS管和第六MOS管的漏极接直流电源,第三MOS管、第四MOS管、第五MOS管和第六MOS管的栅极均接本振信号,第三电容和第四电容串联后及第三电阻和第四电阻串联后接在第三MOS管和第四MOS管的漏极之间,且第三电容和第四电容之间接地。本实用新型能够在射频信号幅度增大时保持良好的线性度。 |
申请公布号 |
CN204633713U |
申请公布日期 |
2015.09.09 |
申请号 |
CN201520415423.X |
申请日期 |
2015.06.16 |
申请人 |
成都宜川电子科技有限公司 |
发明人 |
张继宏 |
分类号 |
H03D7/16(2006.01)I |
主分类号 |
H03D7/16(2006.01)I |
代理机构 |
成都华风专利事务所(普通合伙) 51223 |
代理人 |
徐丰 |
主权项 |
一种混频器,其特征在于,包括第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管、第四MOS管、第五MOS管、第六MOS管、第一电容、第二电容、第三电容、第四电容、第一电阻、第二电阻、第三电阻和第四电阻;所述第一MOS管和所述第二MOS管的源极接地,所述第一MOS管和所述第二MOS管的漏极相连接后与所述第三MOS管和所述第四MOS管的源极相连接,所述第一MOS管的栅极通过第一电容接射频信号且通过所述第一电阻接第一偏置电压,所述第二MOS管的栅极通过第二电容接所述射频信号且通过所述第二电阻接第二偏置电压,所述第三MOS管的栅极和所述第四MOS管的栅极分别连接本振信号,串联的所述第三电阻和所述第四电阻以及串联的所述第三电容和所述第四电容连接在所述第三MOS管的漏极和所述第四MOS管的漏极之间,所述第三电容和所述第四电容之间接地,所述第三MOS管的漏极和所述第四MOS管的漏极分别输出中频电压信号,所述第五MOS管的漏极连接直流电源、栅极连接本振信号、源极连接第三MOS管的漏极,所述第六MOS管的漏极连接所述直流电源、栅极连接本振信号、源极连接第四MOS管的漏极。 |
地址 |
610000 四川省成都市成华区龙潭工业园华翰路89号2栋12楼 |