半导体装置

摘要

提供一种具有新结构的半导体装置，其中甚至在没有提供电力时也能够保存已存储数据，并且写入次数不受限制。该半导体包括第一晶体管之上的第二晶体管和电容器。电容器包括第二晶体管的源或漏电极和栅绝缘层以及覆盖第二晶体管的绝缘层之上的电容器电极。第二晶体管的栅电极和电容器电极隔着绝缘层至少部分相互重叠。通过使用不同层来形成第二晶体管的栅电极和电容器电极，半导体装置的集成度能够得到提高。

主权项

一种半导体装置，包括：存储器单元，包括：第一晶体管，包括：第一沟道形成区；所述第一沟道形成区之上的第一栅绝缘层；以及所述第一栅绝缘层之上的第一栅电极，所述第一栅电极与所述第一沟道形成区重叠；所述第一晶体管之上的第二晶体管，所述第二晶体管包括：第二沟道形成区；第一电极，电连接到所述第二沟道形成区；第二栅电极，与所述第二沟道形成区重叠；以及所述第二沟道形成区与所述第二栅电极之间的第二栅绝缘层；所述第二晶体管之上的绝缘层；以及所述绝缘层之上的第二电极，所述第二电极与所述第一电极重叠，其中电容器包括所述第一电极、所述第二栅绝缘层、所述绝缘层和所述第二电极；其中所述第一沟道形成区和所述第二沟道形成区包括不同的半导体材料，其中所述第一栅电极电连接到所述第一电极，以及其中所述第一电极与所述第一栅电极重叠。