发明名称 一种空心结构二氧化锡纳米花及其制备方法
摘要 本发明公开了一种空心结构二氧化锡纳米花及其制备方法,属于纳米材料技术领域。解决了现有技术中二氧化锡纳米颗粒的制备方法操作复杂、成本高,且无法制备复杂形貌的二氧化锡纳米颗粒的技术问题。本发明的纳米花由一个以上的子单元组成,所有子单元共用同一个几何中心点,其中,子单元由一个空心二氧化锡片层和一个实心二氧化锡片层组成,空心二氧化锡片层和实心二氧化锡片层均为正六边形结构,空心二氧化锡片层由外壳和内腔组成,实心二氧化锡片层与空心二氧化锡片层平行且共用同一个几何中心点,实心二氧化锡片层设置在空心二氧化锡片层内,将内腔分隔为两个区域。该纳米花为空心分等级结构,单分散性和结晶性良好,比表面积大,且具有良好的气敏性。
申请公布号 CN104891557A 申请公布日期 2015.09.09
申请号 CN201510288677.4 申请日期 2015.05.29
申请人 吉林大学 发明人 曾毅;郑伟涛;邴一飞;王艳哲
分类号 C01G19/02(2006.01)I;B82Y30/00(2011.01)I;B82Y40/00(2011.01)I 主分类号 C01G19/02(2006.01)I
代理机构 长春菁华专利商标代理事务所 22210 代理人 王丹阳
主权项 空心结构二氧化锡纳米花,其特征在于,由一个以上的子单元组成,所有子单元共用同一个几何中心点;所述子单元由一个空心二氧化锡片层和一个实心二氧化锡片层组成,空心二氧化锡片层和实心二氧化锡片层均为正六边形结构;所述空心二氧化锡片层由外壳和内腔组成,所述外壳的平均厚度为100‑200nm;所述实心二氧化锡片层与空心二氧化锡片层平行且共用同一个几何中心点,实心二氧化锡片层设置在空心二氧化锡片层内,将内腔分隔为两个区域,实心二氧化锡片层的平均厚度为60‑160nm。
地址 130000 吉林省长春市南关区前进大街2699号