发明名称 |
等离子体处理的方法 |
摘要 |
一种等离子体处理的方法,包括:预先获取第一频率,所述第一频率为第一等离子体处理过程中,可变频功率源与反应腔阻抗匹配时可变频功率源的输出频率;预先获取第二频率,所述第二频率为第二等离子体处理过程中,可变频功率源与反应腔阻抗匹配时可变频功率源的输出频率;对待处理基底进行第一等离子体处理,同时通过外部控制单元使可变频功率源的输出频率为第一频率,使可变频功率源与反应腔阻抗匹配;对待处理基底进行第二等离子体处理,同时通过外部控制单元使可变频功率源的输出频率为第二频率,使可变频功率源与反应腔阻抗匹配。所述等离子体处理的方法能够保持等离子体稳定,避免等离子体熄灭的问题。 |
申请公布号 |
CN104900472A |
申请公布日期 |
2015.09.09 |
申请号 |
CN201510198918.6 |
申请日期 |
2015.04.22 |
申请人 |
中微半导体设备(上海)有限公司 |
发明人 |
叶如彬 |
分类号 |
H01J37/32(2006.01)I;H01L21/67(2006.01)I |
主分类号 |
H01J37/32(2006.01)I |
代理机构 |
北京集佳知识产权代理有限公司 11227 |
代理人 |
应战;吴敏 |
主权项 |
一种等离子体处理的方法,其特征在于,包括:提供待处理基底、等离子体处理装置以及外部控制单元,所述等离子体处理装置具有可变频功率源,所述外部控制单元与可变频功率源连接,所述待处理基底置于等离子体处理装置的反应腔内;预先获取第一频率,所述第一频率为第一等离子体处理过程中,可变频功率源与反应腔阻抗匹配时可变频功率源的输出频率;预先获取第二频率,所述第二频率为第二等离子体处理过程中,可变频功率源与反应腔阻抗匹配时可变频功率源的输出频率;对所述待处理基底进行第一等离子体处理,通入第一反应气体到反应腔内,可变频功率源输出第一射频功率到反应腔,同时通过外部控制单元使可变频功率源的输出频率为第一频率,使可变频功率源与反应腔阻抗匹配;进行所述第一等离子体处理后,对所述待处理基底进行第二等离子体处理,通入第二反应气体到反应腔内,可变频功率源输出第二射频功率到反应腔,同时通过外部控制单元使可变频功率源的输出频率为第二频率,使可变频功率源与反应腔阻抗匹配。 |
地址 |
201201 上海市浦东新区金桥出口加工区(南区)泰华路188号 |