| 发明名称 | 一种面心立方相硅晶体薄膜的制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种面心立方相硅晶体薄膜的制备方法，步骤为：以Si和Al为靶材进行共溅射，溅射压力为0.1～20Pa，铝靶的溅射功率为30～200W，硅靶的溅射功率为80～300W，在衬底表面沉积得到Al<sub>x</sub>Si<sub>1-x</sub>混合薄膜，其中，0.05<x<0.8；再将得到的Al<sub>x</sub>Si<sub>1-x</sub>混合薄膜经退火处理后得到所述的面心立方相硅晶体薄膜。本发明提供了一种面心立方相硅晶体薄膜的制备方法，在常压下即可制备得到，薄膜中含有显著的面心立方相硅晶体，薄膜厚度可以达到500nm以上，达到器件应用级水平的要求。 | ||
| 申请公布号 | CN104900496A | 申请公布日期 | 2015.09.09 |
| 申请号 | CN201510223751.4 | 申请日期 | 2015.05.05 |
| 申请人 | 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 | 发明人 | 宋伟杰;曾俞衡;谭瑞琴;刘超;黄金华;王维燕 |
| 分类号 | H01L21/20(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/20(2006.01)I |
| 代理机构 | 杭州天勤知识产权代理有限公司 33224 | 代理人 | 刘诚午 |
| 主权项 | 一种面心立方相硅晶体薄膜的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：(1)以Si和Al为靶材进行共溅射，溅射压力为0.1～20Pa，铝靶的溅射功率为30～200W，硅靶的溅射功率为80～300W，在衬底表面沉积得到Al<sub>x</sub>Si<sub>1‑x</sub>混合薄膜，其中，0.05<x<0.8；(2)步骤(1)得到的Al<sub>x</sub>Si<sub>1‑x</sub>混合薄膜经退火处理后得到所述的面心立方相硅晶体薄膜。 | ||
| 地址 | 315201 浙江省宁波市镇海区庄市大道519号 | ||