单向TVS器件结构及其制作方法

摘要

本发明提供了一种单向TVS器件结构及其制作方法，在凹槽内淀积第一氧化硅层、氮氧化硅层以及第二氧化硅层进行填充保护，避免传统的磷硅玻璃作填充时产生的厚度不均匀、空洞、易脱落等问题，其中第一氧化硅层和第二氧化硅层与其他膜层具有良好的粘附性，氮氧化硅层不易吸潮，有利于提高单向TVS器件的可靠性。此外，本发明在硅衬底正面和背面淀积氮化硅层作为掩蔽层，这样在刻蚀硅衬底形成凹槽时，由于腐蚀硅的腐蚀液基本不腐蚀氮化硅，可避免硅衬底正面采用常规光刻胶做掩蔽时所产生的脱胶问题，同时硅衬底背面的氮化硅层也可以保护硅衬底背面不被腐蚀，从而保证硅衬底整体无变形。

主权项

一种单向TVS器件结构，其特征在于，包括：硅衬底；形成于所述硅衬底正面的掺杂区，所述掺杂区与所述硅衬底的掺杂类型相反；刻蚀所述硅衬底正面形成的凹槽；依次淀积于所述硅衬底正面上的第一氧化硅层、氮氧化硅层以及第二氧化硅层，所述第一氧化硅层、氮氧化硅层以及第二氧化硅层覆盖所述凹槽的表面；暴露所述硅衬底正面的接触孔；形成于所述接触孔中的正面金属层；以及形成于所述硅衬底背面的背面金属层。