发明名称 |
同时加工不同结构的同轴线的方法 |
摘要 |
本发明提供了一种同时加工不同结构的同轴线的方法,不同结构的同轴线至少包括第一同轴线和第二同轴线,第一同轴线至少包括第一外绝缘层、第一屏蔽线层、第一内绝缘层和第一芯线导体层,第二同轴线至少包括第二外绝缘层和第二芯线导体层,所述方法包括:同时切割并剥除第一同轴线的第一外绝缘层和第二同轴线的第二外绝缘层,以暴露出第一屏蔽线层和第二芯线导体层;对第一屏蔽线层进行部分切割,并切断第二芯线导体层;剥除部分切割后的第一屏蔽线层,并对暴露出的第一内绝缘层和第一芯线导体层进行相应的切割处理。由于只是对第一屏蔽线层进行了部分切割,并未切断第一屏蔽线层,因此,不会对内侧的第一内绝缘层进行破坏。 |
申请公布号 |
CN104901142A |
申请公布日期 |
2015.09.09 |
申请号 |
CN201510305579.7 |
申请日期 |
2015.06.04 |
申请人 |
歌尔声学股份有限公司 |
发明人 |
辛福成;尹玉田;田跃荣;韩凯;姬常超 |
分类号 |
H01R43/28(2006.01)I |
主分类号 |
H01R43/28(2006.01)I |
代理机构 |
北京集佳知识产权代理有限公司 11227 |
代理人 |
王宝筠 |
主权项 |
一种同时加工不同结构的同轴线的方法,其特征在于,所述不同结构的同轴线至少包括第一同轴线和第二同轴线,所述第一同轴线至少包括第一外绝缘层、第一屏蔽线层、第一内绝缘层和第一芯线导体层,所述第二同轴线至少包括第二外绝缘层和第二芯线导体层,所述方法包括:同时切割并剥除所述第一同轴线的第一外绝缘层和所述第二同轴线的第二外绝缘层,以暴露出所述第一屏蔽线层和所述第二芯线导体层;对所述第一屏蔽线层进行部分切割,并切断所述第二芯线导体层;剥除部分切割后的所述第一屏蔽线层,并对暴露出的所述第一内绝缘层和所述第一芯线导体层进行相应的切割处理。 |
地址 |
261031 山东省潍坊市高新技术产业开发区东方路268号 |