| 发明名称 | LDMOS器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明实施例公开了一种LDMOS器件及其制造方法。所述方法包括：提供基底，所述基底包括本体层、外延层及位于外延层中的深阱区；在所述外延层上依次形成隔离介质层及硬掩膜层；采用具有漂移区图案的掩膜版在所述外延层中的深阱区内形成浅沟槽；在所述浅沟槽内形成浅沟槽介质层。本发明所提供的LDMOS器件制造方法，能够生产出关键尺寸为0.18μm或0.18μm以下的器件；且在后续进行CMP工艺时，可以实现基底表面的全局平坦化，减小了工艺缺陷的发生。 | ||
| 申请公布号 | CN102569075B | 申请公布日期 | 2015.09.09 |
| 申请号 | CN201010589182.2 | 申请日期 | 2010.12.15 |
| 申请人 | 无锡华润上华半导体有限公司;无锡华润上华科技有限公司 | 发明人 | 韩广涛;孙贵鹏;林峰;马春霞;黄枫 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L21/762(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 常亮;李辰 |
| 主权项 | 一种LDMOS器件制造方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底包括本体层、外延层及位于外延层中的深阱区；在所述外延层上依次形成隔离介质层及硬掩膜层；采用具有漂移区图案的掩膜版在所述外延层中的深阱区内的漂移区上方形成浅沟槽；在所述外延层中形成隔离低压器件的深沟槽；所述浅沟槽倾斜的侧壁与基底表面成80°～90°角；所述深沟槽倾斜的侧壁与基底表面成80°～90°角；在所述浅沟槽内形成浅沟槽介质层；在所述深沟槽内形成深沟槽介质层；在所述外延层中的深阱区内形成与深阱区掺杂类型相同的第一浅阱区和第二浅阱区；在所述第一浅阱区和第二浅阱区内形成第一源区和第二源区，在所述外延层中的深阱区内形成漏区；所述第一源区、第二源区和漏区均与所述深阱区的掺杂类型相反。 | ||
| 地址 | 214028 江苏省无锡市国家高新技术产业开发区汉江路5号 | ||