发明名称 |
一种半导体存储器件 |
摘要 |
本发明公开一种半导体存储器件,包括:存储单元;每个所述存储单元包括字线、位线、浮栅存储器件和动态存储电容;所述浮栅存储器件的栅极与一条所述字线相连,源极与另一条所述字线相连,漏极与所述位线相连;所述动态存储电容的一端与所述浮栅存储器件的源极相连,另一端接地。本发明所公开的半导体存储器件,同时具有动态存储器的功耗低,速度快的优点,又能够实现非挥发性的存储。 |
申请公布号 |
CN102800358B |
申请公布日期 |
2015.09.09 |
申请号 |
CN201110137423.4 |
申请日期 |
2011.05.25 |
申请人 |
中国科学院微电子研究所 |
发明人 |
刘明;许中广;霍宗亮;张满红;谢常青;龙世兵;李冬梅 |
分类号 |
G11C16/06(2006.01)I |
主分类号 |
G11C16/06(2006.01)I |
代理机构 |
北京集佳知识产权代理有限公司 11227 |
代理人 |
逯长明 |
主权项 |
一种半导体存储器件,其特征在于,包括:存储单元;每个所述存储单元包括字线、位线、浮栅存储器件和动态存储电容;所述浮栅存储器件的栅极与一条所述字线相连,源极与另一条所述字线相连,漏极与所述位线相连;所述动态存储电容的一端与所述浮栅存储器件的源极相连,另一端接地;根据外部环境的需要通过两条字线的不同信号选择不同的存储方式,其中所述外部环境包括:正常通电时,断电时,恢复供电时。 |
地址 |
100029 北京市朝阳区北土城西路3号 |