| 发明名称 | 应力减小的SOS基板 | ||
| 摘要 | 提供一种应力减小的SOS基板。该SOS基板是包括蓝宝石基板和在该蓝宝石基板上或上方的单晶硅膜的蓝宝石上硅(SOS)基板。在该SOS基板的整个平面区域上，通过拉曼位移方法测得的该SOS基板的硅膜的应力为2.5×10<sup>8</sup>Pa或更小。 | ||
| 申请公布号 | CN102687272B | 申请公布日期 | 2015.09.09 |
| 申请号 | CN201080059990.6 | 申请日期 | 2010.12.27 |
| 申请人 | 信越化学工业株式会社 | 发明人 | 秋山昌次 |
| 分类号 | H01L27/12(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L29/786(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/12(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市隆安律师事务所 11323 | 代理人 | 权鲜枝 |
| 主权项 | 制备蓝宝石上硅基板的方法，其包括以下顺序的步骤：在单晶硅基板或者其上具有氧化物膜的单晶硅基板中注入离子，以在其中形成离子注入层；在蓝宝石基板的表面上和/或所述离子注入单晶硅基板或所述其上具有氧化物膜的离子注入单晶硅基板的表面上进行表面活化处理；在50℃或更高但不高于350℃将所述单晶硅基板或所述其上具有氧化物膜的单晶硅基板与所述蓝宝石基板相互贴合，然后在150℃或更高但不高于350℃进行热处理，以获得接合体；使所述接合体的离子注入层的界面脆化；以及对所述离子注入层的界面施加机械冲击，以使所述接合体沿着所述界面剥离，从而将单晶硅膜转移到所述蓝宝石基板以形成蓝宝石上硅基板，其中所述离子注入层的界面脆化的步骤和/或对所述离子注入层的界面施加机械冲击的步骤包括，在比所述贴合步骤中的温度高或低50℃的温度范围内，在50℃或更高但不高于350℃的温度加热所述接合体，以及其中所述蓝宝石上硅基板包括蓝宝石基板和在所述蓝宝石基板上或上方的单晶硅膜，并且在所述蓝宝石上硅基板的整个平面区域上，通过拉曼位移方法测得的硅膜的应力具有2.5×10<sup>8</sup>Pa或更小的绝对值。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||