| 发明名称 | 陶瓷构件、半导体制造装置用构件及陶瓷构件的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明的陶瓷构件30包含有：以Al、N成分固溶于氧化镁中形成的Mg（Al）O（N）为主相的陶瓷基体32和配置在部分陶瓷基体32上、作为电极成分含有氮化物、碳化物、碳氮化物及金属中的任意1个以上的电极34。该陶瓷基体32也可以是使用CuKα射线时的所述Mg（Al）O（N）的（111）面、（200）面、（220）面的XRD波峰分别出现在氧化镁的立方晶波峰与氮化铝的立方晶波峰之间的2θ=36.9～39°，42.9～44.8°，62.3～65.2°。 | ||
| 申请公布号 | CN103857643B | 申请公布日期 | 2015.09.09 |
| 申请号 | CN201280049986.0 | 申请日期 | 2012.10.10 |
| 申请人 | 日本碍子株式会社 | 发明人 | 渡边守道;神藤明日美;胜田祐司;佐藤洋介;矶田佳范;渡边笃 |
| 分类号 | H01L21/683(2006.01)I;C04B35/04(2006.01)I;C04B35/58(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/683(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海市华诚律师事务所 31210 | 代理人 | 李晓 |
| 主权项 | 一种陶瓷构件，包含陶瓷基体和电极，所述陶瓷基体以Al、N成分固溶于氧化镁中形成的Mg(Al)O(N)为主相，所述电极配置于所述陶瓷基体的一部分上，含有氮化物、碳化物、碳氮化物及金属中的任意1个以上作为电极成分；以及所述陶瓷基体中，使用CuKα射线时的所述Mg(Al)O(N)的(111)面、(200)面、(220)面的XRD波峰分别出现在氧化镁的立方晶波峰与氮化铝的立方晶波峰之间的2θ＝36.9～39°，42.9～44.8°，62.3～65.2°。 | ||
| 地址 | 日本国爱知县名古屋市瑞穗区须田町2番56号 | ||