发明名称 |
一种靶源预整形增强的极紫外光发生装置 |
摘要 |
本发明公开了一种靶源预整形增强的极紫外光发生装置,其中,所述极紫外光发生装置包括:真空腔,靶源发生器,靶源预整形增强器,高能发生器,能量注入器,极紫外光收集器,残余靶材收集器,其中,所述靶源预整形增强器包括:靶源运动轨迹控制器,靶源整形器,靶源探测器,极紫外光和/或等离子体探测器,同步控制器,其中同步控制器根据所述靶源探测器及极紫外光和/或等离子体探测器的监测数据,控制所述靶源发生器、靶源运动轨迹控制器、靶源整形器、高能发生器及能量注入器,以达到优化极紫外光输出能量的目的。本发明公开的极紫外光发生装置能够解决现有极紫外光发生装置能量转换效率低的问题,可有效增大装置的极紫外光输出能量。 |
申请公布号 |
CN103079327B |
申请公布日期 |
2015.09.09 |
申请号 |
CN201310003089.2 |
申请日期 |
2013.01.05 |
申请人 |
中国科学院微电子研究所 |
发明人 |
宗明成;黄有为;陈浩;李世光;盖洪峰 |
分类号 |
H05G2/00(2006.01)I |
主分类号 |
H05G2/00(2006.01)I |
代理机构 |
北京华沛德权律师事务所 11302 |
代理人 |
刘丽君 |
主权项 |
一种靶源预整形增强的极紫外光发生装置,其特征在于,所述极紫外光发生装置包括:一真空腔,所述真空腔用于维持极紫外光传输路径上的真空环境,以减少所述极紫外光在传输路径上的光能吸收损失;一靶源发生器,所述靶源发生器部分或全部位于所述真空腔内,用于向外输出靶源;一靶源预整形增强器,所述靶源预整形增强器部分或全部位于所述真空腔内,用于接收所述靶源并对所述靶源进行预整形增强及空间位置调整;一高能发生器,所述高能发生器部分或全部位于所述真空腔外,用于产生持续时间短、能量密度高的能量;一能量注入器,所述能量注入器部分或全部位于所述真空腔外,用于将所述高能发生器产生的所述能量注入靶源内,使所述靶源转化受激态等离子体,并向外辐射极紫外光;一极紫外光收集器,所述极紫外光收集器位于所述真空腔内,用于收集所述极紫外光;一残余靶材收集器,所述残余靶材收集器部分或全部位于所述真空腔室内,用于收集和储存未被激发的靶材粒子和/或经激发后残留的靶材离子;其中,所述靶源预整形增强器还包括:一靶源运动轨迹控制器,所述靶源运动轨迹控制器位于所述真空腔内,用于接收所述靶源并控制和稳定所述靶源的运动轨迹;一靶源整形器,所述靶源整形器位于所述真空腔内,用于对所述靶源进行整形增强及空间位置调整;一靶源探测器,所述靶源探测器部分或全部位于所述真空腔内,用于动态监测所述靶源的物理特征信息,所述靶源的物理特征信息包括所述靶源的位置信息和/或形状信息;一极紫外光和/或等离子体探测器,所述极紫外光和/或等离子体探测器部分或全部位于所述真空腔内,用于动态监测所述极紫外光和/或等离子体的物理特征信息,所述极紫外光和/或等离子体的物理特征信息包括所述等离子体的形态信息和/或所述极紫外光的能量信息。 |
地址 |
100029 北京市朝阳区北土城西路3号中科院微电子所 |