| 发明名称 | 一种半导体芯片以及金属间介质层的制作方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种半导体芯片以及金属间介质层的制作方法，用以降低PMOS器件开启电压的漂移值，提高PMOS器件的可靠性。所述半导体芯片金属间介质层的制作方法包括：在第一金属层上形成第一氧化硅层；在所述第一氧化硅层上形成第二氧化硅层；在所述第二氧化硅层表面进行砷离子As-1注入。 | ||
| 申请公布号 | CN103187356B | 申请公布日期 | 2015.09.09 |
| 申请号 | CN201110448805.9 | 申请日期 | 2011.12.28 |
| 申请人 | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 | 发明人 | 陈建国;张枫;徐顺强;陈余鑫;文燕 |
| 分类号 | H01L21/768(2006.01)I;H01L21/314(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/768(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人 | 黄志华 |
| 主权项 | 一种半导体芯片金属间介质层的制作方法，其特征在于，该方法包括：在第一金属层上采用等离子增强型化学气相沉积法形成第一氧化硅层；在所述第一氧化硅层上采用旋涂法形成第二氧化硅层；采用回刻工艺对第二氧化硅层进行减薄，形成无台阶的金属隔离层；所述金属隔离层包括所述第一氧化硅层和所述第二氧化硅层；在所述第二氧化硅层表面进行砷离子As<sup>‑1</sup>注入，将所述砷离子As<sup>‑1</sup>注入所述第二氧化硅层和所述第一氧化硅层。 | ||
| 地址 | 100871 北京市海淀区成府路298号方正大厦9层 | ||