高可靠性绝缘导热基板

摘要

本发明涉及一种高可靠性绝缘导热基板，包括铝或铝合金基体，在所述基体上沉积有非晶态铝过渡层，在所述铝过渡层上通过PECVD方法沉积AlON绝缘导热陶瓷层，在所述绝缘导热陶瓷层上通过活性钎焊工艺将铜箔钎焊在绝缘导热陶瓷层上。本发明所述的高可靠性绝缘导热基板，不仅导热绝缘性良好，导热系数≥100W/mk;而且所述基板的各层之间粘结性良好，热应力低，可靠性良好；可以作为高集成度电子元器件的基板使用。

主权项

一种高可靠性绝缘导热基板，包括铝或铝合金基体，其特征在于在所述基体上沉积有非晶态铝过渡层，在所述铝过渡层上通过PECVD方法沉积AlON绝缘导热陶瓷层，在所述绝缘导热陶瓷层上通过活性钎焊工艺将铜箔钎焊在绝缘导热陶瓷层上；所述活性钎焊使用的钎料含有12.5‑15.0wt％的Zn、5.1‑7.2wt％的Al、2.1‑3.5wt％的Ag、0.8‑1.0wt％的Cd、2.1‑2.5wt％的Ti、1.2‑1.8wt％的Sn、0.65‑0.95wt％的Mn、1.8‑2.1wt％的Ni、0.15‑0.30wt％的Li、0.1‑0.2wt％的B和余量的Cu，钎焊温度范围为581‑600℃。