发明名称 多晶硅还原炉的绝缘盘
摘要 本实用新型提出了一种多晶硅还原炉的绝缘盘,包括盘体,其中部设有一贯穿盘体上、下表面的圆形的通孔,该盘体为氮化硅盘体,所述盘体的上表面上设有第一凹槽及第二凹槽,所述第一凹槽为由盘体的上表面向下凹进形成的圆环形槽,所述第二凹槽为由该第一凹槽的底面向下凹进形成的圆环形槽,所述第一凹槽的内径大于第二凹槽的内径,所述盘体的下表面上设有第三凹槽,该第三凹槽为由盘体的下表面向上凹进形成的圆环形槽,所述环槽为圆环状,其由盘体的侧面中部向内凹进形成。本实用新型中的绝缘盘由于设有环槽,增大了绝缘盘自身的弹性系数,对导体组件有一个缓冲作用,大大提高了导体组件的受挤压能力,且为氮化硅绝缘盘,绝缘及稳定性好。
申请公布号 CN204625195U 申请公布日期 2015.09.09
申请号 CN201520197422.2 申请日期 2015.04.02
申请人 新德隆特种陶瓷(大连)有限公司 发明人 李刚
分类号 C01B33/03(2006.01)I 主分类号 C01B33/03(2006.01)I
代理机构 北京联瑞联丰知识产权代理事务所(普通合伙) 11411 代理人 郑自群
主权项 一种多晶硅还原炉的绝缘盘,包括盘体,该盘体包括圆形的上表面、与该上表面相对的圆形的下表面及连接于该上、下表面之间的侧面,其中部设有一贯穿盘体上、下表面的圆形的通孔,其特征在于:所述盘体为氮化硅盘体,所述盘体的上表面上设有第一凹槽及第二凹槽,所述第一凹槽为由盘体的上表面向下凹进形成的圆环形槽,所述第二凹槽为由该第一凹槽的底面向下凹进形成的圆环形槽,所述第一凹槽的内径大于第二凹槽的内径,所述盘体的下表面上设有第三凹槽,该第三凹槽为由盘体的下表面向上凹进形成的圆环形槽,所述环槽为圆环状,其由盘体的侧面中部向内凹进形成。
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