发明名称 |
研磨装置以及研磨方法 |
摘要 |
本发明的目的在于,提供能够与工艺特性的变化无关地实现良好的残存膜厚分布控制的研磨装置以及研磨方法。研磨装置具备支持研磨垫(2)用的研磨台(3)、对基板的背面的多个区域分别施加压力,将基板的表面按压在研磨垫(2)上的顶环(1)、取得膜厚信号的膜厚传感器(7)、以及对压力进行操纵的研磨控制部(9)。研磨控制部(9)在基板的研磨过程中计算出基板表面的多个区域内的残存膜厚的指数,为了根据指数对残存膜厚分布进行控制,对压力进行操纵,利用在基板研磨过程中得到的研磨数据对控制参数中的至少一个进行更新。 |
申请公布号 |
CN104889879A |
申请公布日期 |
2015.09.09 |
申请号 |
CN201510095290.7 |
申请日期 |
2015.03.04 |
申请人 |
株式会社荏原制作所 |
发明人 |
小林洋一;八木圭太 |
分类号 |
B24B37/04(2012.01)I;B24B37/005(2012.01)I;B24B49/00(2012.01)I;B24B49/12(2006.01)I |
主分类号 |
B24B37/04(2012.01)I |
代理机构 |
上海市华诚律师事务所 31210 |
代理人 |
彭里 |
主权项 |
一种研磨装置,其特征在于,具备:支持研磨垫用的研磨台;对所述基板的背面的多个区域分别施加压力,将所述基板的表面按压在所述研磨垫上的顶环;取得随着所述基板的膜的厚度变化的膜厚信号的膜厚传感器;以及操纵所述压力的研磨控制部,所述研磨控制部在所述基板的研磨过程中,计算所述基板的表面的多个区域内的残存膜厚的指数,为了控制残存膜厚的分布,根据所述指数对所述压力进行操纵,利用所述基板的研磨过程中得到的研磨数据,对所述残存膜厚的分布的控制中使用的控制参数中的至少一个进行更新。 |
地址 |
日本东京都大田区羽田旭町11番1号 |