晶片级芯片封装结构及其制作方法

摘要

本发明公开了一种晶片级芯片封装结构及其制作方法。首先，在与导电焊垫相对应的位置处蚀刻出第一开口，然后，在预定切割道两侧相邻两个第一开口之间形成切除了上部的第二凸部；接着，在第二凸部上正对预定切割道的位置进行机械切割，切割出第二开口，第二开口底部进入支撑层；最后，依次铺设绝缘层、金属布线层及线路保护层。该工艺方法形成的封装结构中，支撑层与线路保护层直接相连，可将导电焊垫及介质层包覆在内，避免了液体沿介质层侧壁进入导电焊垫，进而将导电焊垫腐蚀，减少了可靠性失效的风险；提高了产品的可靠性。同时，在切割过程中，只需切割线路保护层、支撑层及衬底层，减少了切割制程中出现断刀、崩边等问题。

主权项

一种晶片级芯片封装结构，包括一晶片(100)与衬底(200)的键合片，所述晶片(100)与衬底(200)之间通过支撑层(2)和粘结层(1)进行连接，所述晶片包括若干芯片单元，相邻两个芯片单元之间具有预定切割道；相邻芯片单元的若干导电焊垫位于所述预定切割道的两侧，其特征在于：所述晶片背面上形成有与所述导电焊垫位置相对的第一开口，预定切割道两侧的相邻两第一开口之间形成有切除了上部的第二凸部(5)；所述第二凸部(5)上正对预定切割道的位置处形成有第二开口(6)，所述第二开口的底部进入所述支撑层；所述第一开口内依次铺设有绝缘层(8)、金属布线层(9)和线路保护层(10)，所述金属布线层通过一连通所述导电焊垫与所述第一开口的第三开口(7)将晶片的电性引导至所述晶片的背面，所述线路保护层填入所述第二开口内。