发明名称 |
阵列基板及其制备方法、显示装置 |
摘要 |
本发明提供一种阵列基板及其制备方法、显示装置,属于阵列基板技术领域,其可解决现有的阵列基板中的存储电容的面积不足,电容值小的问题。本发明的阵列基板包括:薄膜晶体管,包括有源区、源漏极、栅极;设于所述有源区下方的由导电材料构成的遮光结构;存储电容,包括间隔且相对设置的第一极片和第二极片;所述第一极片与遮光结构同层设置,所述第二极片与有源区、源漏极、栅极中的任意一种同层设置。 |
申请公布号 |
CN104900655A |
申请公布日期 |
2015.09.09 |
申请号 |
CN201510175829.X |
申请日期 |
2015.04.14 |
申请人 |
京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司 |
发明人 |
辛燕霞;杨玉清;杨小飞 |
分类号 |
H01L27/12(2006.01)I;H01L27/02(2006.01)I;H01L29/40(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I |
主分类号 |
H01L27/12(2006.01)I |
代理机构 |
北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 |
代理人 |
柴亮;张天舒 |
主权项 |
一种阵列基板,包括:薄膜晶体管,包括有源区、源漏极、栅极;设于所述有源区下方的由导电材料构成的遮光结构;存储电容,包括间隔且相对设置的第一极片和第二极片;其特征在于,所述第一极片与遮光结构同层设置,所述第二极片与有源区、源漏极、栅极中的任意一种同层设置。 |
地址 |
100015 北京市朝阳区酒仙桥路10号 |