一种高离子迁移率晶体管的T型栅的制作方法

摘要

本发明公开了一种高离子迁移率晶体管的T型栅的制作方法，是在砷化镓(GaAs)基衬底上依次形成抗反射层及第一光阻，第一光阻经曝光显影形成宽度为0.16-0.19um的显开区域，再通过化学收缩工艺缩小至0.11-0.13um；再涂覆第二光阻，经曝光显影后与第一光阻的显开区域共同形成T型栅极的蚀刻窗口，通过沉积金属形成线宽为0.11-0.13um的T型栅。本发明的制备方法设备投入低，产能高，有效降低了生产成本，适于实际生产应用。

主权项

一种高离子迁移率晶体管的T型栅的制作方法，其特征在于包括以下步骤：1)提供一砷化镓基衬底，于衬底上形成一抗反射层；2)于抗反射层上涂覆第一光阻，第一光阻经曝光显影形成宽度为0.16‑0.19um的下蚀刻窗口；3)通过化学收缩工艺将下蚀刻窗口的宽度缩小至0.11‑0.13um；4)于上述结构上方涂覆第二光阻，第二光阻经曝光显影形成对应于下蚀刻窗口上方的上蚀刻窗口，上蚀刻窗口的宽度大于下蚀刻窗口，上蚀刻窗口和下蚀刻窗口形成T型栅极的蚀刻窗口；5)除去蚀刻窗口下方的抗反射层以露出衬底，并蚀刻该部分衬底以形成沟槽；6)于蚀刻窗口内以沟槽为底层表面沉积金属，形成T型栅极；7)除去抗反射层、第一光阻及第二光阻。