| 发明名称 | 一种半导体器件及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种半导体器件及其制备方法，提供基底，所述基底上形成有层间介电层；图案化所述层间介电层，以在所述层间介电层中形成接合焊盘凹槽；在所述接合焊盘凹槽的侧壁上形成间隙壁；选用接合焊盘材料填充所述接合焊盘凹槽，以形成接合焊盘；蚀刻所述间隙壁，以去除部分所述间隙壁，在所述层间介电层和所述接合焊盘之间形成凹槽。本发明为了解决现有技术中存在的问题，在目前的工艺流程中，在不影响图案化密度（pattern density）情况下，在不增加接合（Bonding）对准精度的情况下，增加接合（bonding）工艺的工艺窗口。 | ||
| 申请公布号 | CN104900543A | 申请公布日期 | 2015.09.09 |
| 申请号 | CN201410081136.X | 申请日期 | 2014.03.06 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 陈福成;洪中山 |
| 分类号 | H01L21/60(2006.01)I;H01L21/603(2006.01)I;H01L23/488(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/60(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人 | 董巍;高伟 |
| 主权项 | 一种半导体器件的制备方法，包括：提供基底，所述基底上形成有层间介电层；图案化所述层间介电层，以在所述层间介电层中形成接合焊盘凹槽；在所述接合焊盘凹槽的侧壁上形成间隙壁；选用接合焊盘材料填充所述接合焊盘凹槽，以形成接合焊盘；蚀刻所述间隙壁，以去除部分所述间隙壁，在所述层间介电层和所述接合焊盘之间形成凹槽。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||