发明名称 |
使用DC偏压的高功率RF场效应晶体管切换 |
摘要 |
本发明提供用于在无线功率传送电路中进行调谐的系统、方法及设备。本发明的一个方面提供一种用于调谐的设备。所述设备包含具有栅极、源极及漏极的场效应晶体管,其中所述场效应晶体管经配置以将调谐元件电啮合到AC功率路径。在一些实施例中,源极或漏极接点中的一者处于交流电电压。 |
申请公布号 |
CN104904089A |
申请公布日期 |
2015.09.09 |
申请号 |
CN201380061808.4 |
申请日期 |
2013.11.19 |
申请人 |
高通股份有限公司 |
发明人 |
科迪·B·惠尔兰德;琳达·S·艾里什;威廉·H·冯诺瓦克;加布里埃尔·伊萨克·梅奥 |
分类号 |
H02J7/02(2006.01)I;H02J5/00(2006.01)I |
主分类号 |
H02J7/02(2006.01)I |
代理机构 |
北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 |
代理人 |
宋献涛 |
主权项 |
一种用于提供无线功率传送系统中的调谐的设备,其包括:调谐元件;及场效应晶体管,其具有栅极、第一端子接点及第二端子接点,所述第一端子接点处于交流电AC电压,所述场效应晶体管经配置以基于所述栅极的电特性相对于所述第一端子接点的电特性的改变而将所述调谐元件电啮合到AC功率路径。 |
地址 |
美国加利福尼亚州 |