光电动势装置及其制造方法

摘要

提供一种即使在高速焙烧条件下形成表面电极也可以使电极的宽度与未在高速焙烧条件下制作的以往的情况相同的光电动势装置。具备：p型硅基板(101)、在p型硅基板(101)的光的入射面侧形成的n型扩散层(102)、在n型扩散层(102)上形成的表面电极(110)、在p型硅基板(101)的与光的入射面对置的背面形成的p+层(103)、以及在p+层(103)上的规定的位置形成的背面电极(120)，表面电极(110)具有：在n型扩散层(102)上形成的第1电极层(111)；以及在第1电极层(111)上形成且电阻率比第1电极层(111)小的1层以上的第2电极层(112)。

主权项

一种光电动势装置，具备：第1导电类型的半导体基板；在所述半导体基板的光的入射面侧扩散了第2导电类型的杂质而得到的第1扩散层；在所述第1扩散层上形成的表面电极；在所述半导体基板的与光的入射面对置的背面形成的第1导电类型的第2扩散层；以及在所述第2扩散层上的规定的位置形成的背面电极，所述光电动势装置的特征在于，所述表面电极具有：在所述第1扩散层上形成的第1电极层；以及在所述第1电极层上形成、且电阻率比所述第1电极层小的1层以上的第2电极层，所述第1电极层与所述第1扩散层之间的接触电阻低于所述第2电极层与所述第1扩散层之间的接触电阻，通过将从升温时的最高到达温度‑10℃的到达时起经由最高到达温度而达到降温时的最高到达温度‑10℃为止的峰值温度保持时间设为5秒以内的高速焙烧来焙烧表面电极用膏，从而形成所述第1电极层。