发明名称 晶圆中芯片的测试方法
摘要 本发明涉及一种晶圆中芯片的测试方法,包括下列步骤:设置一面积大于待测晶圆有效区域的测试区域,使测试区域能够完全覆盖所述有效区域;将所述待测晶圆置于承片台上,按照所述测试区域对所述待测晶圆进行测试;将测试得到的合格芯片数与标准合格数进行比较,若大于或等于所述标准合格数,则该待测晶圆符合标准。本发明采取放大测试面积的方法进行测试,能够遍测待测晶圆上的有效图形,虽然因为测试区域的放大导致对部分无效图形也进行了测试,但由于是比较合格芯片数量与标准合格数,不同于传统的采用合格率进行判定的方式,因此可以剔除掉因无效图形引入的干扰,依据此方法可以准确地筛选出符合标准的产品。
申请公布号 CN102981114B 申请公布日期 2015.09.09
申请号 CN201210528268.3 申请日期 2012.12.10
申请人 深圳深爱半导体股份有限公司 发明人 王云锋;任炜强
分类号 G01R31/26(2014.01)I;G01R31/28(2006.01)I 主分类号 G01R31/26(2014.01)I
代理机构 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 代理人 吴平
主权项 一种晶圆中芯片的测试方法,包括下列步骤:设置一面积大于待测晶圆有效区域的测试区域,使测试区域能够完全覆盖所述有效区域;所述有效区域是待测晶圆上所有完整的芯片组合而成的区域;将所述待测晶圆置于承片台上,按照所述测试区域对所述待测晶圆进行测试;将测试得到的合格芯片数与标准合格数进行比较,若大于或等于所述标准合格数,则该待测晶圆符合标准。
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