一种新型交错并联升降压斩波电路拓扑结构

摘要

本实用新型涉及了一种新型交错并联升降压斩波电路拓扑结构，包括电源U_s、第一电容C₁、第一电感L₁、第一开关管S₁、第二电容C₂、第二开关管S₂、第一开关管的体二极管D₁、第二开关管的体二极管D₂、第二电感L₂、第三开关管S₃、第四开关管S₄、第三开关管的体二极管D₃、第四开关管的体二极管D₄、开关电容C_f以及负载R_L，其中，第一电容C₁并联在电源U_s两端，第一电感L₁与第二电容C₂、第二开关管S₂、开关电容C_f串联后并联在第一电容C₁上；第一开关管S₁漏极接在第一电感L₁与第二电容C₂之间，源极接在电源U_s负极；第二电感L₂与第三开关管S₃串联，第二电感一端与电源正极相连；第三开关管S₃的集电极接在第二电容C₂与第二开关管S₂之间；第四开关管S₄漏极接在第二电感L₂与第三开关管S₃之间，源极接在电源U_s负极。该结构可以降低开关管在工作过程中所承受的电压应力，电路可以工作于更高的电压场合，延长使用寿命、降低成本，减小体积、提高系统可靠性。

主权项

一种新型交错并联升降压斩波电路拓扑结构，其特征在于，包括电源Us、第一电容C₁、第一电感L₁、第一开关管S₁、第二电容C₂、第二开关管S₂、第一开关管的体二极管D₁、第二开关管的体二极管D₂、第二电感L₂、第三开关管S₃、第四开关管S₄、第三开关管的体二极管D₃、第四开关管的体二极管D₄、开关电容C_f以及负载R_L，其中，第一电容C₁并联在电源Us两端，第一电感L₁与第二电容C₂、第二开关管S₂、开关电容C_f串联后并联在第一电容C₁上；第一开关管S₁漏极接在第一电感L₁与第二电容C₂之间，源极接在电源Us负极；第二电感L₂与第三开关管S₃串联，第二电感一端与电源正极相连；第三开关管S₃的集电极接在第二电容C₂与第二开关管S₂之间；第四开关管S₄漏极接在第二电感L₂与第三开关管S₃之间，源极接在电源Us负极。