MOS晶体管的制作方法及半导体器件的制作方法

摘要

一种MOS晶体管的制作方法及半导体器件的制作方法。所述MOS晶体管的制作方法包括：提供半导体衬底；在半导体衬底上形成伪栅结构，伪栅结构依次包括伪栅介质层和伪栅极；在半导体衬底上形成位于伪栅结构两侧的侧墙；在侧墙两侧的半导体衬底中进行重掺杂离子注入，形成重掺杂区；在半导体衬底上形成层间介质层，层间介质层的上表面与伪栅结构的上表面齐平；去除伪栅结构以形成暴露出半导体衬底的沟槽，去除伪栅结构包括采用水溶液清洗的方式去除伪栅介质层；在沟槽的侧壁和底部形成高K介质层；在高K介质层上形成填充满沟槽的金属栅极。本发明可避免去除伪栅介质层时对侧墙或层间介质层的损害，提高MOS晶体管及半导体器件的电学性能。

主权项

一种MOS晶体管的制作方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成伪栅结构，所述伪栅结构从下至上依次包括伪栅介质层和伪栅极；在所述半导体衬底上形成位于所述伪栅结构两侧的侧墙；在所述侧墙两侧的所述半导体衬底中进行重掺杂离子注入，形成重掺杂区；在所述半导体衬底上形成层间介质层，所述层间介质层的上表面与所述伪栅结构的上表面齐平；去除所述伪栅结构以形成暴露出所述半导体衬底的沟槽，去除所述伪栅结构包括采用水溶液清洗的方式去除所述伪栅介质层；在所述沟槽的侧壁和底部形成高K介质层；在所述高K介质层上形成金属栅极，所述金属栅极填充满所述沟槽。