用于改善的连续直拉法的热屏障

摘要

本发明涉及一种用于通过直拉法生长晶锭的设备。该晶锭在由晶体进料予以补充的一定量的熔融硅中从熔体/晶体界面被拉出。该设备包括构造成保持熔融硅的坩埚和支承在坩埚中的窑坎。该窑坎构造成将熔融硅从构造为接纳晶体进料的外部区分离到内部生长区中。该窑坎包括竖直延伸的侧壁和顶壁。环形热屏障设置在窑坎的顶壁上，并且覆盖外部区的至少约70％。

主权项

一种用于通过直拉法生长晶锭的设备，所述晶锭在由晶体进料予以补充的一定量的熔融硅中从熔体/晶体界面被拉出，所述设备包括：构造成保持所述熔融硅的坩埚；支承在所述坩埚中的窑坎，所述窑坎构造成将所述熔融硅从构造为接纳所述晶体进料的外部区分离到围绕所述晶体/熔体界面的内部生长区中，所述窑坎包括至少一个竖直延伸的侧壁，以及顶壁；和设置在所述窑坎的所述顶壁上的环形热屏障，所述环形热屏障覆盖所述外部区的至少约70％。