发明名称 |
薄膜电阻器制法 |
摘要 |
本发明公开一种薄膜电阻器制法,于一基板上依序形成电极图案及覆盖一电阻层之后,以镀膜方式在该电阻层上覆盖图案化完成的一无机保护层,并以该无机保护层作为蚀刻该电阻层时的遮罩,经蚀刻完成后,该无机保护层不需移除而保留覆盖在该电阻层的上方,当一有机保护层再形成于该无机保护层上方后,该电阻层上方形成双层式的保护结构,提高保护效果,防止该电阻层因外界环境因素所导致的电阻值改变问题。 |
申请公布号 |
CN104900358A |
申请公布日期 |
2015.09.09 |
申请号 |
CN201410177963.9 |
申请日期 |
2014.04.29 |
申请人 |
华新科技股份有限公司 |
发明人 |
王高源;陈惠如;庄乃川 |
分类号 |
H01C17/075(2006.01)I;H01C17/08(2006.01)I |
主分类号 |
H01C17/075(2006.01)I |
代理机构 |
北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 |
代理人 |
梁挥;常大军 |
主权项 |
一种薄膜电阻器制法,其特征在于,包含:于一绝缘的基板的上表面形成上电极;形成一电阻层于该基板的上表面;于该电阻层上覆盖一遮罩层,该遮罩层具有预设图案以显露出部分的电阻层;于该遮罩层及显露出的电阻层上全面覆盖一无机保护层;移除该遮罩层,令位于该遮罩层上的无机保护层一并移除,其中,未移除的无机保护层覆盖在原显露出的电阻层上;蚀刻该电阻层,以该无机保护层作为一蚀刻遮罩,去除未以无机保护层覆盖的电阻层;形成有机保护层,在该无机保护层上完整覆盖一有机保护层。 |
地址 |
中国台湾台北市 |