发明名称 | 双界面调控的n型单晶硅的处理方法 | ||
摘要 | 本发明公开了一种双界面调控的n型单晶硅的处理方法,其包括如下步骤:S1.提供n型硅片,在n型硅片的背面制作Al掺杂的p<sup>+</sup>发射极,对背面制作有Al掺杂的p<sup>+</sup>发射极的n型硅片进行预退火处理,之后再对其进行二次退火处理;S2.在n型硅片的正面进行制绒,并对制绒面进行清洗;S3.在清洗过的制绒面上沉积形成Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>薄膜层;S4.在形成的Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>薄膜层进行贵金属修饰。本发明的双界面调控的n型单晶硅的处理方法使得光电化学电池中光生电子与空穴之间的俄歇复合率明显降低,且稳定性增强、使用寿命长,同时具有较高的光解水效率。 | ||
申请公布号 | CN104900412A | 申请公布日期 | 2015.09.09 |
申请号 | CN201510158432.X | 申请日期 | 2015.04.03 |
申请人 | 苏州大学 | 发明人 | 沈明荣;范荣磊;苏晓东 |
分类号 | H01G9/20(2006.01)I | 主分类号 | H01G9/20(2006.01)I |
代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 唐灵;常亮 |
主权项 | 一种双界面调控的n型单晶硅的处理方法,其特征在于,所述处理方法包括如下步骤:S1.提供n型硅片,在n型硅片的背面制作Al掺杂的p<sup>+</sup>发射极,对背面制作有Al掺杂的p<sup>+</sup>发射极的n型硅片进行预退火处理,之后再对其进行二次退火处理;S2.在n型硅片的正面进行制绒,并对制绒面进行清洗;S3.在清洗过的制绒面上沉积形成Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>薄膜层;S4.在形成的Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>薄膜层进行贵金属修饰。 | ||
地址 | 215123 江苏省苏州市工业园区仁爱路199号 |