一种铸造法生长硅晶体的装料方法以及生长硅晶体的工艺

摘要

本发明公开了一种铸造法生长硅晶体的装料方法以及生长硅晶体的工艺，装料方法包含以下步骤：在石英坩埚底部放置石英隔离层，石英隔离层上方铺放籽晶层，籽晶层上方放置硅原料。通过在石英坩埚和籽晶层之间铺设石英隔离层，能有效解决石英坩埚底部杂质扩散影响后续定向凝固法生长出的硅晶体铸锭品质的问题，使用本发明的装料方法，能明显提高硅晶体铸锭的少子寿命，并且不需要改变原有的晶体硅铸锭炉的结构及多晶生产工艺，成本低。

主权项

一种铸造法生长硅晶体的装料方法，其特征在于，包含以下步骤：在石英坩埚底部放置石英隔离层，石英隔离层上方铺放籽晶层，籽晶层上方放置硅原料；所述的石英隔离层由石英颗粒平铺而成，厚度为2～20mm；石英颗粒为3～20目的石英砂。