| 发明名称 | 半导体器件的形成方法 | ||
| 摘要 | 一种半导体器件的形成方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底内形成有沟槽；形成填充满所述沟槽的具有流动性的前驱材料层；对所述前驱材料层进行氧化处理，将前驱材料层转变为第一介质层，所述氧化处理在第一温度和第一压强的氛围下进行；对所述第一介质层进行固化处理，将第一介质层转变为第二介质层，所述固化处理在第二温度和第二压强的氛围下进行，且第二温度高于第一温度，第二压强小于第一压强。本发明在提高隔离结构的隔离能力的同时，减小对与隔离结构相邻的有源区的氧化作用，从而提高半导体器件的可靠性和电学性能。 | ||
| 申请公布号 | CN104900577A | 申请公布日期 | 2015.09.09 |
| 申请号 | CN201410076961.0 | 申请日期 | 2014.03.04 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 | 发明人 | 何有丰 |
| 分类号 | H01L21/762(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/762(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 骆苏华 |
| 主权项 | 一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底内形成有沟槽；形成填充满所述沟槽的具有流动性的前驱材料层；对所述前驱材料层进行氧化处理，将前驱材料层转变为第一介质层，所述氧化处理在第一温度和第一压强的氛围下进行；对所述第一介质层进行固化处理，将第一介质层转变为第二介质层，所述固化处理在第二温度和第二压强的氛围下进行，且第二温度高于第一温度，第二压强小于第一压强。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||