| 发明名称 | TFT布局结构 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种TFT布局结构，包括受同一控制信号线控制的第一薄膜晶体管(T1)、与第二薄膜晶体管(T2)；第一薄膜晶体管(T1)的第一有源层(SC1)、与第二薄膜晶体管(T2)的第二有源层(SC2)位于不同层别，并在空间上层叠设置，第一薄膜晶体管(T1)的第一源极(S1)、及第一漏极(D1)接触第一有源层(SC1)，第二薄膜晶体管(T2)的第二源极(S2)、及第二漏极(D2)接触第二有源层(SC2)；第一薄膜晶体管(T1)的底栅极层(Bottom Gate)位于第一有源层(SC1)下方，第二薄膜晶体管(T2)的顶栅极层(Top Gate)位于第二有源层(SC2)上方。该TFT布局结构能够缩小电路布局的空间，提升电路布局的灵活度，满足显示面板窄边框、及高分辨率的要求。 | ||
| 申请公布号 | CN104900653A | 申请公布日期 | 2015.09.09 |
| 申请号 | CN201510175497.5 | 申请日期 | 2015.04.14 |
| 申请人 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 发明人 | 韩佰祥;石龙强 |
| 分类号 | H01L27/12(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/12(2006.01)I |
| 代理机构 | 深圳市德力知识产权代理事务所 44265 | 代理人 | 林才桂 |
| 主权项 | 一种TFT布局结构，其特征在于，包括受同一控制信号线控制的第一薄膜晶体管(T1)、与第二薄膜晶体管(T2)；所述第一薄膜晶体管(T1)包括底栅极层(Bottom Gate)、第一有源层(SC1)、第一源极(S1)、及第一漏极(D1)，所述第二薄膜晶体管(T2)包括第二有源层(SC2)、第二源极(S2)、第二漏极(D2)、及顶栅极层(Top Gate)；所述第一有源层(SC1)、与第二有源层(SC2)位于不同层别，并在空间上层叠设置，所述第一源极(S1)、及第一漏极(D1)接触第一有源层(SC1)，所述第二源极(S2)、及第二漏极(D2)接触第二有源层(SC2)；所述底栅极层(Bottom Gate)位于第一有源层(SC1)下方，所述顶栅极层(Top Gate)位于第二有源层(SC2)上方，所述底栅极层(Bottom Gate)、与顶栅极层(Top Gate)均电性连接所述控制信号线以分别控制第一薄膜晶体管(T1)、与第二薄膜晶体管(T2)的打开与关闭。 | ||
| 地址 | 518132 广东省深圳市光明新区塘明大道9—2号 | ||