发明名称 球形羟基氧化钴的制备方法
摘要 本发明涉及一种球形羟基氧化钴的制备方法,包括:提供控制结晶釜;将缓冲剂注入该控制结晶釜,该缓冲剂用于对反应物的反应速度进行控制;将钴盐溶液及碱性溶液作为反应物,注入具有缓冲剂的该控制结晶釜;使该反应物反应的同时仅在该控制结晶釜的釜体的底部区域对该反应物进行搅拌,从而通过控制结晶法制备球形羟基氧化钴。
申请公布号 CN103482710B 申请公布日期 2015.09.09
申请号 CN201310378777.7 申请日期 2013.08.27
申请人 江苏华东锂电技术研究院有限公司;清华大学 发明人 方谋;王要武;何向明;王莉;尚玉明;高剑;郭建伟;毛宗强
分类号 C01G51/04(2006.01)I 主分类号 C01G51/04(2006.01)I
代理机构 深圳市鼎言知识产权代理有限公司 44311 代理人 哈达
主权项 一种球形羟基氧化钴的制备方法,包括:提供控制结晶釜,该控制结晶釜包括釜体、搅拌装置、进料装置及挡板,该搅拌装置包括搅拌桨,该搅拌桨仅设置在从该釜体的底部开始的釜体深度的1/10~1/3区间,该挡板设置在该釜体内部的侧壁上;将缓冲剂注入该控制结晶釜,该缓冲剂用于对反应物的反应速度进行控制;将钴盐溶液及碱性溶液作为反应物,注入具有缓冲剂的该控制结晶釜;及使该反应物反应的同时对该反应物进行搅拌,该反应物在釜体中的填充程度超过该釜体深度的1/2,该搅拌为仅在从该控制结晶釜的釜体底部开始的釜体深度的1/10~1/3的区间进行搅拌,从而通过控制结晶法制备球形羟基氧化钴。
地址 215699 江苏省苏州市张家港市杨舍镇华昌路