晶片封装体及其制造方法

摘要

本发明提供一种晶片封装体及其制造方法，该晶片封装体包括一含有晶片的半导体基底，具有元件区和周边接垫区，多个导电垫设置于周边接垫区上，晶片保护层覆盖于半导体基底上，暴露出所述导电垫，绝缘保护层形成于元件区的晶片保护层上，以及封装层设置于绝缘保护层之上，暴露出所述导电垫及位于周边接垫区的晶片保护层。该晶片封装体的制造方法包括在切割制程中形成绝缘保护层覆盖导电垫以及利用封装层的开口除去导电垫上方的绝缘保护层。本发明所述的晶片封装体及其制造方法可避免导电垫在切割制程中被切割残余物损害及刮伤。

主权项

一种晶片封装体，其特征在于，该晶片封装体包括：一半导体基底，具有一元件区和一周边接垫区，该周边接垫区围绕该元件区；多个导电垫，设置于该半导体基底的该周边接垫区上；一晶片保护层，覆盖于该半导体基底上，且暴露出所述导电垫；一绝缘保护层，覆盖该元件区，该绝缘保护层的材料包括光致抗蚀剂绝缘材料；一封装层，设置于该绝缘保护层上，且暴露出所述导电垫，其中该绝缘保护层切齐该封装层的外缘；以及一间隔层，设置于该封装层与该绝缘保护层之间，其中该绝缘保护层的外缘垂直对齐该间隔层的外缘，并且一间隙形成于该封装层与该绝缘保护层之间，且该绝缘保护层在该间隔层下方区域的硬度大于其他区域的硬度。