具有改善的局部匹配与端末电阻的RX基电阻器的半导体装置

摘要

形成在紧密靠近的电阻器之间具有减少的变化性、具有经改善的端末电阻、和减少的随机掺杂剂不匹配的半导体装置。实施例包含以相当高剂量(例如大约4至大约6keV)、和相当低植入能量(例如大约1.5至大约2E15/cm²)离子植入譬如B的掺杂剂。

主权项

一种制作半导体装置的方法，包括下列步骤：于衬底上形成高k栅极电介质层；于该高k栅极电介质层上形成金属栅极电极；于该金属栅极电极上形成具有厚度小于的非晶硅层；于邻接该高k栅极电介质层、该金属栅极电极以及该非晶硅层的相对侧的该衬底上形成主动区域(401)；于该主动区域的部分上定义电阻结构，各电阻结构包括第一边缘和相对于该第一边缘的第二边缘；以少于8keV的能量和大于或等于1.5E15/cm²的剂量将掺杂剂引入该电阻结构(403)；于各电阻结构的中央部分之上形成硅化物阻障(405)；于该电阻结构的剩余部分上形成硅化物层(407,409)；于该硅化物阻障和硅化物层上于该电阻结构上形成电介质层(411)；穿过接近电阻结构的该第一和第二边缘的该电介质层形成金属接点(413,415)；以及形成金属带(211)于该金属接点之上。