| 发明名称 | 薄膜晶体管、其基板、显示设备及制造薄膜晶体管的方法 | ||
| 摘要 | 提供了一种薄膜晶体管、薄膜晶体管基板、显示设备以及制造薄膜晶体管的方法。所述薄膜晶体管包括：栅电极；有源层，与栅电极绝缘；源电极和漏电极，与栅电极绝缘并且电连接到有源层；第一蚀刻停止层，由绝缘材料形成，并且与有源层的位于有源层的电连接到源电极和漏电极的区域之间的部分接触；第二蚀刻停止层，位于第一蚀刻停止层上，第二蚀刻停止层由与用于形成第一蚀刻停止层的绝缘材料相同类型的绝缘材料形成，第二蚀刻停止层具有比第一蚀刻停止层的密度高的密度；以及第三蚀刻停止层，位于第二蚀刻停止层上。 | ||
| 申请公布号 | CN104900706A | 申请公布日期 | 2015.09.09 |
| 申请号 | CN201510082801.1 | 申请日期 | 2015.02.15 |
| 申请人 | 三星显示有限公司 | 发明人 | 安秉斗;金兑映;牟然坤 |
| 分类号 | H01L29/786(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I;H01L27/12(2006.01)I;H01L27/32(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/786(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人 | 刘灿强;谭昌驰 |
| 主权项 | 一种薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管包括：栅电极；有源层，与所述栅电极绝缘；源电极和漏电极，与所述栅电极绝缘并且电连接到所述有源层；第一蚀刻停止层，由绝缘材料形成，并且与所述有源层的位于所述有源层的电连接到所述源电极和所述漏电极的区域之间的部分接触；第二蚀刻停止层，位于所述第一蚀刻停止层上，所述第二蚀刻停止层由与用于形成所述第一蚀刻停止层的绝缘材料相同类型的绝缘材料形成，所述第二蚀刻停止层具有比所述第一蚀刻停止层的密度高的密度；以及第三蚀刻停止层，位于所述第二蚀刻停止层上。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道龙仁市 | ||