| 发明名称 | 一种推导锗元素对于锗化硅异质结影响的方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种推导锗元素对于锗化硅异质结影响的方法，步骤为：为了给合金锗化硅的异质结建模，对标准的漂移-扩散方程进行修改，电流方程 <img file="dest_path_image002.GIF" wi="299" he="24" /><img file="dest_path_image004.GIF" wi="311" he="37" />这里<img file="dest_path_image006.GIF" wi="58" he="27" />是内在势能；将(4a)和(4b)代入(3a)和(3b)中，在电流密度方程之后，记<i>n<sub>i</sub></i>是一个函数<img file="dest_path_image008.GIF" wi="474" he="19" />这里<img file="dest_path_image010.GIF" wi="137" he="45" />通过引入参数，然后、<i>n</i><i>、</i><i>p</i><i>、</i><i>J</i>和<i>Jp</i>5个变量可用Scharfetter-Gummel离散化和牛顿方法从5个方程中求解出来。本发明的优点在于：本发明的推导方法证明了锗化硅器件性能的改善可通过锗化硅合金的锗浓度空间分布的仔细设计来获得。 | ||
| 申请公布号 | CN104899346A | 申请公布日期 | 2015.09.09 |
| 申请号 | CN201510108260.5 | 申请日期 | 2015.03.12 |
| 申请人 | 白昀;毛蔚 | 发明人 | 毛蔚;白昀 |
| 分类号 | G06F17/50(2006.01)I | 主分类号 | G06F17/50(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京一格知识产权代理事务所(普通合伙) 11316 | 代理人 | 滑春生 |
| 主权项 | 一种推导锗元素对于锗化硅异质结影响的方法，其特征在于：所述步骤为：为了给合金锗化硅的异质结建模，对标准的漂移‑扩散方程进行修改， 泊松方程<img file="dest_path_image002.GIF" wi="300" he="39" />连续性方程<img file="dest_path_image004.GIF" wi="322" he="43" />电流方程<img file="dest_path_image006.GIF" wi="320" he="39" />在电流密度方程(3a)和(3b)中，<b>和</b>分别与电子和空穴的准费米能级相一致<img file="dest_path_image008.GIF" wi="339" he="48" />这里<img file="dest_path_image010.GIF" wi="66" he="34" />是内在势能； 将(4a)和(4b)代入(3a)和(3b)中，在电流密度方程之后，记<i>n<sub>i</sub></i>是一个函数<img file="dest_path_image012.GIF" wi="488" he="24" />这里<img file="dest_path_image014.GIF" wi="146" he="50" /><b> </b>通过引入参数，方程(6a)和(6b)不同于标准半导体方程，参数反映了由合金频带结构所引起的本征载流子浓度的空间依赖性，然后、<i>n、p、J</i>和<i>Jp</i>5个变量可用Scharfetter‑Gummel离散化和牛顿方法从5个方程中求解出来。 | ||
| 地址 | 226000 江苏省南通市开发区长圆路1号益兴大厦1501-1504室 | ||