| 发明名称 | 晶体管的形成方法 | ||
| 摘要 | 一种晶体管的形成方法，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底表面形成隔离层和位于隔离层表面的第一牺牲层；刻蚀所述第一牺牲层和隔离层，形成暴露出部分半导体衬底的凹槽；在所述凹槽底部的半导体衬底表面形成外延层；对所述外延层进行离子注入，形成掺杂区；去除所述第一牺牲层；形成覆盖隔离层和掺杂区的半导体层；在所述掺杂区上方的半导体层上形成栅极结构；在所述栅极结构两侧的半导体层内形成源极和漏极。上述方法可以提高形成的晶体管的性能。 | ||
| 申请公布号 | CN104900523A | 申请公布日期 | 2015.09.09 |
| 申请号 | CN201410077193.0 | 申请日期 | 2014.03.04 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 刘金华 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 骆苏华 |
| 主权项 | 一种晶体管的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底表面形成隔离层和位于隔离层表面的第一牺牲层；刻蚀所述第一牺牲层和隔离层，形成暴露出部分半导体衬底的凹槽；在所述凹槽底部的半导体衬底表面形成外延层；去除所述第一牺牲层；形成覆盖隔离层和外延层的半导体层；在所述外延层上方的半导体层上形成栅极结构；在所述栅极结构两侧的半导体层内形成源极和漏极。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||