多结叠层电池及其制备方法

摘要

本发明提供一种多结叠层电池，包括一衬底、一InGaN基电池膜层与一III-V族多结电池膜层，所述衬底置于所述III-V族多结电池膜层的裸露表面，所述InGaN基电池膜层与III-V族多结电池膜层之间通过键合方式以连接。本发明还提供一种多结叠层电池的制备方法，包括步骤：1）提供一第一衬底、一第二衬底；2）在所述第一衬底生长InGaN基电池膜层，在第二衬底上生长III-V族多结电池膜层；3）从InGaN基电池膜层上剥离第一衬底，剩下InGaN基电池膜层；4）将InGaN基电池膜层的任意裸露表面键合至III-V族多结电池膜层的裸露表面。

主权项

一种多结叠层电池，包括一衬底、一InGaN 基电池膜层与一III‑V 族多结电池膜层，所述衬底置于所述III‑V 族多结电池膜层的裸露表面，其特征在于，所述InGaN 基电池膜层与III‑V 族多结电池膜层之间通过键合方式连接，所述InGaN 基电池膜层与III‑V族多结电池膜层均采用双层台面结构，且所述InGaN 基电池膜层与III‑V 族多结电池膜层中每层台面结构裸露表面均设置一电极。