发明名称 |
一种GTR-KTP晶体的制备方法 |
摘要 |
本发明涉及一种GTR-KTP晶体的制备方法,先制备KH<sub>2</sub>PO<sub>4</sub>晶体料,然后在超环境下分段加热形成均匀稳定的高温溶液,采用顶端与提拉相结合的方法生长的GTR-KTP晶体,本发明制备的KTP晶体,降低了KTP晶体的吸收系数,能有效的抵抗灰迹产生,使KTP晶体的倍频转换效率得到显著增强。在测试的1000秒时间内,是用100mw、532nm绿光照射GTR-KTP晶体,系统吸收基本保持稳定,显示了其良好的抗灰迹效果。 |
申请公布号 |
CN103451731B |
申请公布日期 |
2015.09.09 |
申请号 |
CN201310389390.1 |
申请日期 |
2013.08.30 |
申请人 |
山东华特知新材料有限公司 |
发明人 |
乔永军;冯彧;翟仲军;李杰;逄洪雷;李勇;董胜明 |
分类号 |
C30B29/22(2006.01)I;C30B15/20(2006.01)I |
主分类号 |
C30B29/22(2006.01)I |
代理机构 |
济南圣达知识产权代理有限公司 37221 |
代理人 |
崔苗苗 |
主权项 |
一种GTR‑KTP晶体的制备方法,其特征是,包括步骤如下:(1)将KH<sub>2</sub>PO<sub>4</sub>用蒸馏水溶解,用超细膜过滤装置过滤,通过低温溶液法生长出高纯KH<sub>2</sub>PO<sub>4</sub>晶体料;(2)将步骤(1)得的KH<sub>2</sub>PO<sub>4</sub>材料与K<sub>2</sub>CO<sub>3</sub>、TiO<sub>2</sub>按质量比8:1:1的比例混合后,搅拌均匀放入铂金坩埚中,炉体内无杂质气氛升温到1000℃将原料熔化反应,反应时间18~24h,升温至1100℃烧料24~36h,然后恒温1100℃搅拌36~48h,形成均匀稳定的高温熔液;(3)采用顶端与提拉相结合的方法生长GTR‑KTP晶体:将高温熔液在晶体转动、提拉中降温,起始温度910±20℃,分前期和后期,前期的降温速度、提拉速率均小于后期的,整个生长周期降温200±20℃,周期长70‑90天,晶体转动速率40~50rpm。 |
地址 |
250101 山东省济南市高新区颖秀路608号山大科技园6号楼三层北区3号 |