发明名称 一种制备三氯氢硅的工艺
摘要 本发明提供了一种制备三氯氢硅的工艺,其包括以下步骤:将用于反应的液态四氯化硅进行汽化;将汽化后的氢气和四氯化硅按1:1-10:1的摩尔比通入到盘管氢化炉的反应盘管中,并在所述盘管氢化炉内的火焰加热下进行反应以生成三氯氢硅。将反应完成后的混合气体进行分离,并循环利用。本发明提供的制备三氯氢硅的工艺中使用盘管氢化炉作为主要反应装置,较大程度的提高了转化率,再通过对反应后的混合气体进行分离并循环利用,最大程度的提高了氢气和四氯化硅的利用率,减少了不必要的资源浪费,显著的降低了生产成本。
申请公布号 CN103723734B 申请公布日期 2015.09.09
申请号 CN201210383084.2 申请日期 2012.10.10
申请人 浙江昱辉阳光能源有限公司 发明人 杨楠;王劭南
分类号 C01B33/107(2006.01)I 主分类号 C01B33/107(2006.01)I
代理机构 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人 魏晓波
主权项 一种制备三氯氢硅的工艺,其特征在于,包括以下步骤:11)将用于反应的液态四氯化硅进行汽化;12)将汽化后的氢气和四氯化硅按1:1‑10:1的摩尔比通入到盘管氢化炉(1)的反应盘管(2)中,并在所述盘管氢化炉(1)内的火焰加热下进行反应以生成三氯氢硅;13)将反应完成后的混合气体进行分离,并循环利用;步骤12)具体包括以下步骤:21)向所述盘管氢化炉(1)的所述反应盘管(2)中充入氮气以排除杂质气体,设定内腔(3)中的压力为200Pa‑400Pa;22)向所述内腔(3)中喷入燃料气并点火,使所述内腔(3)中的温度维持在100℃‑500℃;23)向所述反应盘管(2)中以10m<sup>3</sup>/hr‑500m<sup>3</sup>/hr的流量充入氢气以置换其中的氮气;24)通过调节所述燃料气的流量使所述内腔(3)中的温度由100℃‑500℃升至501℃‑1200℃;25)调整氢气流量至10Nm<sup>3</sup>/hr‑500Nm<sup>3</sup>/hr,四氯化硅流量至50kg/hr‑1000kg/hr并使其摩尔比在1:1‑10:1范围内的混合气体进入所述反应盘管(2)中;26)将进入所述反应盘管(2)中的氢气和四氯化硅的混合气体的流量逐步升至1t/hr‑20t/hr,并使氢气和四氯化硅的混合气体在离开所述反应盘管(2)时的温度达到900℃‑1200℃以使氢气和四氯化硅充分反应;27)反应完成后的混合气体流出所述反应盘管(2)。
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