半导体元件及其制造方法以及半导体层的结构

摘要

本发明提供一种半导体元件及其制造方法以及半导体层的结构。半导体元件的制造方法包括以下步骤。先于鳍状结构的侧壁形成间隙壁，再除去部分的鳍状结构而形成凹洞，所述凹洞暴露出间隙壁的内侧壁的至少一部分。接著基于剩余的鳍状结构进行外延制作工艺，以形成半导体层。所述半导体层具有铲状截面，所述铲状截面包括：位于所述凹洞中的柄部，以及与所述柄部连续的铲面部。本发明并提供一种半导体元件，其包括：上述间隙壁、上述剩余的鳍状结构，以及上述半导体层。

主权项

一种半导体元件的制造方法，其特征在于包括：于鳍状结构的侧壁形成间隙壁；除去部分的所述鳍状结构而形成凹洞，所述凹洞暴露出所述间隙壁的内侧壁的至少一部分；以及基于剩余的所述鳍状结构进行外延制作工艺，以形成半导体层，所述半导体层具有铲状截面，所述铲状截面包括：位于所述凹洞中的柄部，以及与所述柄部连续的铲面部。