发明名称 交换偏置场可调控的结构单元、其制备方法及调控方法
摘要 本发明提供了一种交换偏置场可调控的结构单元。该结构单元包括衬底、金属缓冲层、铁磁层、反铁磁层与保护层,其中衬底采用具有各向异性热膨胀系数与压电效应的柔性衬底,铁磁层具有磁致伸缩效应,从而对应力敏感。当温度、电场导致应力变化时,该结构单元的交换偏置场发生变化,因此能够通过温度、电场调控其交换偏置场。与现有技术相比,该结构单元具有柔韧性,其交换偏置场的调控手段灵活,调控方便易行,在传感、信息、医疗、军事等领域具有良好的应用前景。
申请公布号 CN104900799A 申请公布日期 2015.09.09
申请号 CN201410077376.2 申请日期 2014.03.04
申请人 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 发明人 詹清峰;荣欣;李润伟;刘宜伟;张晓山
分类号 H01L43/00(2006.01)I;H01L43/12(2006.01)I 主分类号 H01L43/00(2006.01)I
代理机构 北京鸿元知识产权代理有限公司 11327 代理人 单英
主权项 一种交换偏置场可调控的结构单元,包括衬底、铁磁层、与反铁磁层,其特征是:所述的衬底为柔性衬底,并且该柔性衬底具有各向异性热膨胀系数与压电效应;所述的衬底表面为金属缓冲层;金属缓冲层表面为铁磁层、铁磁层表面为反铁磁层,反铁磁层表面为保护层;或者,金属缓冲层表面为反铁磁层、反铁磁层表面为铁磁层,铁磁层表面为保护层;并且,所述的铁磁层具有磁致伸缩效应。
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