发明名称 太赫兹芯片倒桩焊背景下陶瓷薄膜导电过孔的焊料填充工艺
摘要 本发明涉及太赫兹芯片倒桩焊装配前的焊点导电过孔内如何填充焊料,属于高频电路封装技术领域。将本发明由两块布满通孔的陶瓷薄膜基板的组合实现焊料填充工艺,包括下基板固定方法、上基板对准及固定方法、正压焊料挤入法、上基板转移、焊料刮刷调平高度一致性;本发明通过借助于上基板掩膜的方法,将需要导电胶填充的过孔进行导电焊料填充,同时保证不需要导电胶污染的过孔的清洁度;使得借助于陶瓷薄膜作为倒桩焊接中间支撑层来实现的倒桩焊工艺得到实现;作为掩膜用途的上介质基板可通过酒精清洗进行重复利用,从而实现了低成本。
申请公布号 CN104900535A 申请公布日期 2015.09.09
申请号 CN201510161078.6 申请日期 2015.04.07
申请人 北京理工大学 发明人 郝海东;吕昕;唐贞;徐文生;成立峰
分类号 H01L21/48(2006.01)I 主分类号 H01L21/48(2006.01)I
代理机构 代理人
主权项 太赫兹芯片倒桩焊背景下陶瓷薄膜导电过孔的焊料填充工艺,其特征在于该工艺的步骤为:(1)将上基板的上表面的边缘粘贴蓝膜胶带形成预掩膜基板,下基板的上表面的边缘粘贴蓝膜胶带形成预填充焊料基板;所述的上基板上带有通孔,下基板上带有与上基板上的通孔坐标相匹配的通孔,下基板上还带有不与上基板的通孔相匹配的通孔;上基板的通孔部位没有粘贴蓝膜胶带,下基板的通孔部位没有粘贴蓝膜胶带;上基板和下基板均为陶瓷薄膜;(2)将上基板和下基板进行堆叠,堆叠时上基板和下基板上没有蓝膜胶带的面相接触,且上基板上的通孔与下基板上的通孔相匹配的相对准,上基板表面边缘上的蓝膜胶带与下基板表面边缘上的蓝膜胶带粘贴在一起,使上基板和下基板的相对位置不发生变化;(3)将导电胶配置好后涂抹覆盖在上基板通孔上,利用无残留橡皮泥将导电胶在上基板上;(4)将无针头的针筒插入无残留橡皮泥密封的空间内,对此空间进行压力负载,即借助针筒向无残留橡皮泥的密封空间内打入气体;(5)通过观察下基板上与上基板上的通孔相匹配的通孔中导电胶的流出情况,当确认上基板上的通孔中均有导电胶从下基板的通孔中流出时,将上基板表面边缘上的蓝膜胶带与下基板表面边缘上的蓝膜胶带分开,完成了陶瓷薄膜导电过孔的焊料填充。
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